硅衬底氮化镓大失配应力调控方法研究

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摘  要：随着人工智能技术的不断发展，宽禁带半导体——氮化镓（GaN）引起研究者们越来越多的关注。但受限于大尺寸、低位错密度的GaN单晶衬底难以制备且稀缺，GaN材料的制备通常采用异质外延法，相较于碳化硅（SiC）、蓝宝石等异质衬底，硅（Si）衬底GaN材料具有更高的性价比，在功率转换和通讯方面受到广泛的关注。（剩余13172字）

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