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摘 要:碳化硅(SiC)在半导体制造行业、航空航天领域应用广泛。超短脉冲激光可以实现SiC的冷加工,而研究激光与SiC相互作用过程及损伤阈值是一项重要研究课题。文章基于电子密度增长速率方程,结合雪崩电离模型、光致电离模型及电子空穴复合模型,对百飞秒至十皮秒的超短脉冲激光与SiC相互作用过程进行分析。(剩余6620字)
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超短脉冲激光与碳化硅相互作用研究
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