W/ZnO/FTO结构ZnO忆阻器的自整流特性

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摘 要：以二水合乙酸锌为原料，采用磁控溅射法镀上金属W顶电极，通过溶胶-凝胶法制备具有自整流特性的W/ZnO/FTO结构忆阻器；利用XRD技术手段测试并分析，观察到（100）、（002）、（101）衍射峰明显增强，证实FTO表面所覆盖的是由ZnO组成的多晶体薄膜。通过对器件阻变开关特性进行研究，发现器件的SET过程在负向电压下完成，RESET过程在正向电压下完成，表明器件具有良好的双极性阻变开关行为，这种行为可用氧空位组成的导电丝的形成和破裂来解释。（剩余10751字）

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