失效分析技术在POWER MOS功率器件缺陷点定位中的应用
【关键词】POWER MOS功率器件；失效分析；EFA电性缺陷点定位；PFA物性验证；EMMI/OBRICH；化学剥层技术
引言
随着集成电路产业的不断发展，针对器件异常的失效分析技术显得越来越重要，在常规的集成电路失效分析中，一般先使用EFA手段进行缺陷点定位，然后使用PFA手段进行物性验证。
POWER MOS功率器件拥有较为特殊的垂直方向的晶体管构造，芯片的表面生长了4 μm以上的金属层，背面作为背电极，也生长了超过1～3 μm的金属层。（剩余3878字）