热处理Hastelloy合金基带对生长NiO薄膜的影响

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摘 要：该研究采用射频磁控溅射方法在经过热处理的Hastelloy合金基带上生长NiO缓冲层，探究了不同退火条件对生长NiO缓冲层的结构和形貌的影响.XRD和AFM测试结果表明，在流氧中退火温度为850℃、退火时间为20min时可在基带表面形成一层连续的NiO薄膜，这能改善基带与缓冲层的晶（剩余5399字）

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