CH4Cl2Si-SiHCl3-H2 体系下硅碳竞争沉积的热力学研究

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中图分类号：TQ127.2 文献标志码：A

0 引言

集成电路作为信息产业发展的基础性、战略性产业，在新经济常态发展中将发挥重要的推动作用[]。目前，多晶硅已成为半导体产业发展过程中重要的原材料之一[2]。碳作为半导体材料中的主要杂质之一，严重影响产品的电学性能[34]，在一定条件下碳原子会成为氧原子的成核中心，促进氧原子的沉淀，造成多晶硅晶格错位，形成深能级载流子复合中心，最终降低下游产品的使用寿命[5]。（剩余10965字）

试读结束

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