注册帐号丨忘记密码？
1.点击网站首页右上角的“充值”按钮可以为您的帐号充值
2.可选择不同档位的充值金额，充值后按篇按本计费
3.充值成功后即可购买网站上的任意文章或杂志的电子版
4.购买后文章、杂志可在个人中心的订阅/零买找到
5.登陆后可阅读免费专区的精彩内容
打开文本图片集
摘 要：氧化铪基铁电隧道结因其与CMOS工艺存在良好的兼容性，在随机存储器领域具有巨大的应用潜力。利用Airy函数严格求解了TiN/HZO/Pt铁电隧道结的隧穿电致电阻问题。研究结果表明：在高偏压区域，隧穿电导和隧穿电致电阻效应随偏压和隧穿层厚度均出现振荡现象。物理上，该振荡现象来源于隧穿层中的入射电子波与隧穿层和右电极界面处的反射电子波产生的干涉效应。（剩余15260字）
登录龙源期刊网
购买文章
氧化铪基铁电隧道结隧穿电致电阻效应的理论研究
文章价格：6.00元
当前余额：100.00
阅读
您目前是文章会员，阅读数共：0篇
剩余阅读数：0篇
阅读有效期：0001-1-1 0:00:00
