基于改进型热敏感电参数的SiC IGBT级联神经网络结温预测模型

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摘 要：碳化硅绝缘栅双极晶体管（SiC IGBT）在高温、高压及大功率领域具有极大的应用潜力。器件运行时结温（Tj）过高会导致阈值电压漂移、载流子寿命衰减及封装材料热失效，成为制约其长期可靠运行的核心瓶颈，因此精确获取Tj信息对器件可靠运行至关重要。典型的组合热敏感电参数（TSEP）如导通压降（VCEon）和集电极电流（Ic）为Si IGBT结温预测提供了新路径。（剩余23343字）

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