一种带有钳位二极管的沟槽型SiC MOSFET

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摘 要：提出了一种嵌入钳位二极管的沟槽型超结SiC MOSFET （ Integrated Clamping Diode Superjunction MOSFET， SCD-MOS ） 结构。在P+屏蔽层 （ P-shield ） 和源级之间集成钳位二极管，钳位二极管的引入不仅提升了器件的动态性能，还有效解决了器件动态电阻的问题。（剩余12762字）

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