基于SDG MOS表面电势理论的PNP BJT过基极电流改进模型研究

打开文本图片集

摘 要：电离总剂量（Total Ionizing Dose， TID）效应诱使PNP双极型晶体管（Bipolar Junction Transistors， BJTs）产生界面态电荷和氧化层俘获电荷，导致基极电流异常增大。鉴于传统解析模型的局限性，本文基于对称双栅MOSFET（Symmetric Double Gate MOSFET，SDG MOS）表面电势理论，通过引入缺陷复合机制，提出了一种改进的PNP BJT过基极电流解析模型，并通过数值仿真揭示了不同界面态电荷密度（1×1011～3×1012cm2）和氧化层俘获电荷密度（1×1011～1×1012 cm2）下的表面电势分布特征。（剩余16588字）