基于水解/球磨工艺制备高离子电导率Mg-PSZ陶瓷

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摘 要：为了提高氧化镁部分稳定氧化锆（Mg-PSZ） 陶瓷的离子电导率，通过水解法、球磨法及水解-球磨法分别制备了2.8% Mg-PSZ粉体，分析比较了各粉体经1600 ℃烧结2 h所得陶瓷样品的致密性、物相及离子电导率。实验结果显示：三种工艺制备的陶瓷样品致密性相近且均表现出高致密性特点（体积密度>5.7 g/cm3，显气孔率<2%），但物相组成和离子电导率存在较大差异，其中水解-球磨法制备的陶瓷样品 （c+t）-ZrO 2相含量达72%，显著高于水解法（63%）和球磨法（54%），电化学测试显示，该陶瓷样品在950 ℃的离子电导率为1.55×10-2 S/cm，较水解法（1.02×10-2 S/cm）和球磨法（3.43×10-3 S/cm）分别提升了51.9%和351.8%。（剩余9820字）