基于第一性原理的二氧化铪内应力场特性仿真研究

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摘 要：在摩尔定律的持续推动下，半导体器件尺寸不断缩小，传统CMOS技术遭遇栅介质材料性能瓶颈，而纯二氧化铪（HfO 2）的铁电相稳定性不足，难以满足高性能器件的需求。为了研究氧化铪铁电性能的改良方法，基于密度泛函理论（DFT），通过计算晶格参数分析了硅（Si）、锆（Zr）、钇（Y）、铝（Al）、锶（Sr）、镧（La）等元素掺杂对HfO 2晶格畸变的影响，比较发现，Zr 掺杂引起的晶格畸变最小。（剩余17225字）

试读结束

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