一步TCVD 法制备大面积碳纳米管冷阴极及其场致发射性能研究

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摘要： 本文提出一步热化学气相沉积法（TCVD）热解二茂铁，并直接在硅衬底上制备大面积（1 cm2）、高质量碳纳米管（CNTs）场致发射冷阴极阵列的制备工艺. 通过调控二茂铁的热解温度（650～1000 ℃），获得了最佳的二茂铁的碳转化效率以及高结晶度的碳纳米管阵列. 研究了不同热解温度下制备的碳纳（剩余347字）

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