非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管制备工艺及性能研究

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摘 要 本文介绍了利用射频磁控溅射技术在氧化硅衬底上制备非晶氧化铟镓锌（a-IGZO）薄膜，对溅射的薄膜进行了不同条件下的特性分析，制备成a-IGZO 薄膜晶体管（a-IGZOTFT），并分别研究了溅射气氛、有源层厚度和退火工艺对器件电学性能的影响。实验表明，当使用50W 的溅射功率时，溅射过程中补充氧气，可以填补材料的深能级氧空位缺陷，提高了器件性能。（剩余13156字）

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