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0.1 GHz~18 GHz单电源宽带低噪声放大器


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摘  要:基于GaAs增强型pHEMT工艺,设计了一款单电源供电、工作频率覆盖0.1 GHz~18 GHz单片集成宽带低噪声放大器芯片。在同一芯片上集成分布式低噪声放大器和有源偏置电路,通过有源偏置电路为分布式放大器提供栅压实现放大器单电源供电。在片测试结果表明,放大器在+5 V工作电压下,工作电流60 mA,在0.1 GHz~18 GHz工作频段范围内实现小信号增益18 dB,输出P1 dB(1 dB压缩点输出功率)典型值12 dBm,噪声系数典型值2.5 dB。(剩余5436字)

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