超宽带双刀双掷氮化镓功率开关芯片

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摘  要：文章提出了一種超宽带射频开关拓扑结构，利用该拓扑结构，设计了一款基于氮化镓单片工艺的超宽带（17～35 GHz）双刀双掷功率开关芯片，同一芯片上集成了射频收发切换开关和极化开关。在片测试结果显示，该芯片在整个频段内的插入损耗典型值为2.5 dB，隔离度典型值为27 dB。装配测试表明该芯片的输入P0.1 dB为40 dBm，具有较高的耐功率能力。（剩余5860字）

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