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1作品介绍
相比Si材料，氮化镓（GaN）具有更高的耐压能力和电子饱和漂移速度，基于GaN的功率器件具有更小体积、更高转换效率和更低功耗，是替代传统硅器件的首选材料。以GaNHEMT器件为代表的功率器件可以缩小芯片体积，显著降低系统功耗，节省能源，具有巨大的经济和社会效益。但目前GaN电力电子器件主要应用于中低压级别 ⋅1200V 以下）的功率开关模块，急需提高GaN器件的抗击穿特性来进一步拓展GaN器件在高压功率开关模块的应用。（剩余1290字）
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高压GaN功率HEMT设计
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