CuSb4相变薄膜的晶化行为研究

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关键词：CuSb4；热稳定性；晶化机制，表面形貌；静电势

中图分类号：O414.13 文献标识码：A 文章编号：2095-7394（2022）04-0001-08

近年来，相变存储技术因其具有较快的读写速度、超长的数据保持时间以及与CMOS 工艺的良好兼容性，受到业界的广泛关注，被认为是最有潜力取代目前主流的Flash 存储器成为下一代非易失性存储技术[1-2]。（剩余3677字）

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