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DOI： 10.3969/j.issn.1671-7775.2024.03.016
开放科学（资源服务）标识码（OSID）：
摘要： 通过退火处理去除了石墨烯薄膜上的吸附气体和杂质，改变了石墨烯表面吸附情况.利用原子力显微镜和开尔文扫描探针显微镜，对退火处理前后的石墨烯薄膜表面进行了原位扫描，分别（剩余9307字）
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退火处理对CVD生长石墨烯薄膜功函数的影响
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