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摘 要:【目的】随着半导体技术的发展,集成电路特征尺寸不断缩小,导致其对软错误更加敏感,因此需要对集成电路存储单元进行加固。【方法】使用Hspice进行实验与仿真,基于PTM32nm CMOS工艺,提出了一种低开销的三节点翻转容忍锁存器结构。【结果】该锁存器包含2个单节点自恢复模块、1个二级错误拦截模块、3个传输门。(剩余7225字)
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一种低开销的三节点翻转容忍锁存器设计
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