IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究

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摘要：针对氮化铝陶瓷基板的IGBT应用展开分析，着重对不同金属化方法制备的覆铜AlN基板进行可靠性进行研究。通过对比厚膜法、薄膜法、直接覆铜法和活性金属钎焊法金属化AlN基板的剥离强度、热循环、功率循环，分析结果可知，活性金属钎焊法制备的AlN覆铜基板优于其他工艺基板，剥离强度25 MPa，（-40～150）℃热循环达到1500次，能耐1200 A/3.3 kV功率循环测试7万次，满足IGBT模块对陶瓷基板可靠性需求。（剩余3953字）

试读结束

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