保护环对双向可控硅静电防护器件电容特性的影响

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关键词：双向可控硅;保护环;寄生电容;传输线脉冲测试系统

静电释放（electro-staticdischarge，ESD）是集成电路（IC）的主要可靠性问题之一[1]，因此IC片上需放置静电防护器件，其端口的常规静电防护网络如图1所示。静电防护器件的设计首先应满足ESD窗口要求，此外，ESD防护器件的寄生电容（CESD）应尽可能小，避免器件寄生电容过大影响被保护电路的工作速度[2]。（剩余3229字）

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