功率半导体IGBT热击穿失效的可靠性研究

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关键词：驱动芯片;欠压保护;热击穿;共地线;电源波动;谐波

绝缘栅双极型晶体管（insulatedgatebipolartransistor，IGBT）是一种综合了金属-氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，MOSFET）和双极型晶体管（bipolarjunctiontransistor，BJT）结构的复合器件，并且同时吸收了二者的优点，具有输入阻抗高、开关速度快、驱动功率小、饱和压降低、控制电路简单和承受电流大等特性，在各种电力电子变换装置中得到了广泛的应用。（剩余3280字）