四重纳米圆盘结构中斯格明子边界态的微磁模拟研究

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摘 要： 磁性材料中的自旋拓扑结构磁斯格明子在下一代超高密度、低能耗、高稳定性的信息存储器件和微波发射器件的研制方面具有极大的潜在应用前景。本文基于Co/Ni 材料的自由层与极化层均为垂直磁各向异性的自旋阀模型，应用微磁模拟与傅里叶分析相结合的技术研究了具有Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用（DMI）的四重连接圆盘结构中非完整性磁斯格明子边界态转动模式的动力学行为特性。（剩余7602字）

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