基于核密度估计的键合系统高温贮存寿命预测

  • 打印
  • 收藏
收藏成功
微博 QQ空间 微信

摘 要：绝缘体上硅（SOI）器件在200～300 ℃高温下性能优异，但长期高温会导致引线键合可靠性下降。为研究长期高温对高可靠SOI器件键合系统的影响，以XX256HT型SOI静态存储器（SRAM）为研究对象，针对其中金-铝与铝-铝两种键合界面，开展了250，275，300 ℃高温贮存加速退化试验，对比研究两种键合点的键合拉力强度退化规律。（剩余9171字）

试读结束

目录
monitor
客服机器人