砷化镓解理加工的划片过程仿真分析及工艺研究

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摘要：

为有效提高砷化镓（GaAs）基半导体激光芯片巴条谐振腔面解理加工质量，开展了一种新型点划方式的划片仿真分析及工艺实验。建立GaAs划片过程的有限元仿真模型，根据不同划片工艺，研究划片载荷及应力分布情况；开展解理工艺验证实验，分析解理面形貌特征，对划片工艺进行验证。研究结果表明，优化后的工艺方法（即由内向外点划片）可有效降低划片过程材料表面损伤程度，减少脆性断裂现象，实验结果与仿真结果具有较高的一致性。（剩余13005字）

试读结束

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