超声作用下碳化硅CMP流场特性分析

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摘要 针对目前碳化硅抛光效率低、表面质量差等加工难题，采用超声辅助CMP（UCMP）加工工艺对其表面进行光滑无损化抛光。为探究超声辅助对CMP流场的影响，以超声振动下的抛光流场特性为研究对象，基于可实现k−ε模型对超声作用下的抛光流场特性进行分析，并采用有限元分析方法探究不同超声频率、超声振幅、液膜厚度对抛光流场内速度、压力的影响，且开展CMP和UCMP对照试验。（剩余19524字）

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