掺杂元素X（B、Al、Sn、Co）对IDB-X/Diamond界面结合性能的影响

  • 打印
  • 收藏
收藏成功
微博 QQ空间 微信


打开文本图片集

摘要 基于量子力学第一性原理，建立了IDB-B/Diamond、IDB-Al/Diamond、IDB-Sn/Diamond和IDB-Co/Dia-mond 4种膜基界面模型，计算了膜基界面结合能、差分电荷密度和布居数，以探究孕镶金刚石钻头（impreg-nated diamond bits，IDB）基体中的常用元素X（X=B、Al、Sn、Co）对IDB-X/Diamond膜基结合强度的影响机制。（剩余17212字）

试读结束

目录
monitor