Dual Gate液晶显示屏栅极制程断路缺陷的分析与改善

  • 打印
  • 收藏
收藏成功
微博 QQ空间 微信


打开文本图片集

摘要：文章探究了光刻工序的水汽和ITO刻蚀工序的药液结晶对Dual Gate产品栅极制程的断路影响，通过DOE试验得到影响因子的最佳改善条件，使55寸Dual Gate产品栅极制程的断路缺陷发生率整体降低36%，为公司带来80.2万元的月度收益，能够对其他高端产品断路缺陷的改善思路、新工艺设备的设计改进，提供参考。（剩余4436字）

试读结束

目录
monitor