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摘要:为了满足射频通信接收系统对高线性度与带外抑制的需求,提出了一种基于SOI( Silicon on Insulator)工艺设计的高线性度射频前端接收芯片,所设计的芯片集成了低噪声放大器、射频开关以及相关辅助电路. 其中,低噪声放大器采用基于跨导非线性补偿技术的MGTR( Multiple Ga(剩余13297字)
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一种具有带外抑制功能的2.4 GHz 高线性度射频前端接收芯片
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