基于VMD-SSA-LSTM的IGBT寿命预测模型研究

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中图分类号:TN11

文献标志码:A

绝缘栅双极型晶体管(Insulated GateBipolar Transistor,IGBT)是进行电能转换的关键电子元器件。YANGS等1统计, 38% 的变流器系统故障由IGBT失效导致。为保障电力电子变流设备稳定运行,需要构建基于IGBT退化特性的精准预测方法体系。(剩余4781字)

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