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摘 要:采用硅基MEMS工艺技术制备了具有微同轴传输线与垂直转接结构的微同轴芯片。制备工艺采用先干法刻蚀形成硅立体结构,再进行侧壁选择性金属化工艺,形成了包裹金属的线芯与无金属的硅支撑梁。采用上、中、下3层晶圆分别制备了TSV、悬置线芯等结构,并通过晶圆级键合形成了完整的微同轴结构。微波测试结果表明其具有较低的损耗特性。(剩余6018字)
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硅基MEMS微同轴的工艺技术
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