一种新型异质结双栅隧穿场效应晶体管

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摘  要：文章提出一种新型Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管（GP_Si/Ge_DGTFET）。该器件在异质结的基础上加入凹槽型pocket结构，禁带宽度较窄的Ge材料可以使器件拥有更低的亚阈值摆幅和更大的开态电流，同时pocket结构的引入可以进一步降低隧穿势垒。基于Sentaurus TCAD仿真软件，将该新型器件与传统Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管（Si/Ge_DGTFET）进行对比。（剩余7331字）

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