GaN MOS-HEMT生物传感器对于GOX的灵敏度检测

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摘  要：文章介绍一种高分辨率的AlGaN/AlN/GaN金属氧化物半导体——高电子迁移率晶体管（HEMT），并研究GaN MOS-HEMT生物传感器对于葡萄糖生物标志物GOX（葡萄糖氧化酶）灵敏度检测的可行性。与传统用于葡萄糖检测的生物传感器进行对比发现，以HfO2作为栅极电解质，可以改善器件性能，增强 MOS-HEMT 器件的漏极电流，提升器件的灵敏度。（剩余5804字）

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