倍增层Si浓度对β-FeSi2/Si红外探测器性能的影响研究

  • 打印
  • 收藏
收藏成功
微博 QQ空间 微信


打开文本图片集

摘 要：【目的】为降低暗电流，改善器件性能，对不同的倍增层Si掺杂浓度在电场分布、暗电流和响应度等性能方面的影响进行探讨，以获得掺杂浓度的最优值。【方法】利用半导体仿真软件Silvaco-TCAD深入探讨了倍增层Si掺杂浓度对β-FeSi2/Si近红外探测器性能的影响规律。【结果】随着倍增层掺杂浓度的提升，倍增层内部电场强度峰值逐渐增加，暗电流密度与电容值也将相应提高，光响应度基本保持不变。（剩余9192字）

试读结束

目录
monitor