注册帐号丨忘记密码？
1.点击网站首页右上角的“充值”按钮可以为您的帐号充值
2.可选择不同档位的充值金额，充值后按篇按本计费
3.充值成功后即可购买网站上的任意文章或杂志的电子版
4.购买后文章、杂志可在个人中心的订阅/零买找到
5.登陆后可阅读免费专区的精彩内容
打开文本图片集
摘 要：采用有限元模拟法研究三维集成电路集成中硅通孔结构在热循环载荷条件下的失效行为，对硅通孔结构的应力应变进行分析。结果表明，硅通孔结构在热循环载荷下顶部Cu焊盘角落附近的SiO2层处具有最大的应力与应变，这表明硅通孔结构中最易失效位置在顶部Cu焊盘角落附近Cu和SiO2的界面处。试验结果与模拟分析一致，进一步验证了模拟结果对硅通孔结构最易失效位置分析的可靠性。（剩余4949字）
登录龙源期刊网
购买文章
三维集成电路集成硅通孔的应力应变研究
文章价格：4.00元
当前余额：100.00
阅读
您目前是文章会员，阅读数共：0篇
剩余阅读数：0篇
阅读有效期：0001-1-1 0:00:00