东芝级联共源共栅技术解决GaN应用痛点

打开文本图片集

和传统的硅功率半导体相比，GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）有着更高的电压能力、更快的开关速度、更高的工作温度、更低导通电阻、功率耗散小、能效高等共同的优异的性能，是近几年来新兴的半导体材料。但他们也存在着各自不同的特性，简单来说，GaN

的开关速度比SiC快，SiC工作电压比GaN更高。GaN的寄生参数极小，开关速度极高，比较适合高频应用，例如：电动汽车的DC-DC（直流-直流）转换电路、OBC （车载充电）、低功率开关电源以及蜂窝基站功率放大器、雷达、卫星发射器和通用射频放大器等;SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的高压高电流的能力以及易驱动特性，使其适合于大功率且高效的各类应用，例如：列车逆变器系统，工业电源、太阳能逆变器和UPS（不间断电源）高性能开关电源等等，可以大大提升效率，功率密度等性能。（剩余986字）