Cu-SiO2化学机械抛光过程中Cu碟形缺陷研究及优化

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摘 要：混合键合是实现高密度互连的先进封装工艺，主要依赖化学机械抛光实现晶圆的平坦化以实现高质量的键合。在化学机械抛光过程中易产生碟形缺陷从而影响键合质量。为探究化学机械抛光工艺中铜焊盘碟形缺陷的形成规律及其对混合键合质量的影响，通过实验与仿真系统性研究了过抛时间、铜焊盘尺寸与碟形深度的关联规律。实验数据清晰地表明，焊盘碟形深度与焊盘尺寸以及过抛时间之间存在显著的正相关关系。（剩余11294字）

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