双P型浮空埋层结构LDMOS击穿特性研究

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摘 要：为得到一种高品质因数（高击穿电压、低比导通电阻）的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， LDMOSFET），本文基于场限环耐压原理，在传统平面栅LDMOS（CON-LDMOS）的结构基础上，提出了一种具有双P型浮空埋层的新型LDMOS（DP-LDMOS）。（剩余9886字）

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