H2O2/FeⅢ-NTA体系下Ru无磨料CMP作用机理研究

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摘 要：随着集成电路的工艺尺寸不断缩小，传统的Cu互连层材料面临着电迁移效应及可靠性降低等越来越严峻的挑战，而Ru凭借其平均电子自由程短及稳定性高等特性，有望成为下一代集成电路互连层材料。为了提升Ru互联层在化学机械抛光（CMP）过程中的去除速率及表面质量，基于无磨料CMP技术，探究了H2O2/FeⅢ-NTA体系对Ru去除速率及表面质量的影响。（剩余12572字）

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