Buck开关电源MOSFET损耗分析

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【摘要】为实现汽车集中式域控制器高性能芯片的开关电源的功率损耗计算，分析了金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的导通和关断过程，对Buck型开关电源的MOSFET损耗进行理论分析及公式推导，针对开关损耗部分进行了实例计算和仿真验证。结果表明，计算结果与仿真结果趋于一致，所提出的方法可为开关电源MOSFET的选型提供参考。（剩余9179字）

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