车用SiC-MOSFET的应用与技术发展综述

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【摘要】针对硅基绝缘栅双极型晶体管（IGBT）难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足，综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC-MOSFET）的最新研究进展。通过总结SiC-MOSFET在电动汽车牵引逆变器、DC/DC电源变换器和车载充电机（OBC）应用场景下的特点，分析了目前车用SiC-MOSFET在成本、可靠性及散热方面的技术挑战，并探讨了其在微型化、先进封装、多芯片集成和成本方面的发展趋势。（剩余18466字）

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