非磁性/磁性掺杂剂对SnO2体系的性能调控

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摘要： 本文通过第一性原理计算在GGA +  U  框架下系统地研究了非磁性掺杂剂（Li）和磁性掺杂剂（V）以及相应的点缺陷（V  O /V  Sn ）掺杂SnO  2 基稀磁半导体（DMS）的稳定性、电子结构、键合性质、磁性以及光学性质.（剩余22362字）

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