C离子对AlGaAs/InGaAs异质结的辐照影响

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摘 要：基于SRIM软件计算了不同能量的C离子在AlGaAs/InGaAs异质结中的平均投影射程和辐照损伤区，仿真了能量为500keV、800keV、1100keV的C离子入射到AlGaAs/InGaAs异质结中的能量损失情况，发现随着入射离子能量的增加，电离能比例增加，非电离能比例降低，入射离子产生的电离能损远大于反冲原子产生的电离能损，反冲原子产生的声子能损远多于入射离子产生的声子能损；通过仿真还发现，当C离子的能量为800keV时，辐照损伤区在异质结处且在异质结处产生的空位缺陷最多。（剩余6472字）