基于纳米复合材料的光电化学传感器的制备

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摘 要：针对传统C3N4半导体材料光催化活性和吸收系数都较低的问题，提出用纳米Ag进行改性，并以改性后的Ag-C3N4复合材料为检测基底，制备光电化学传感器，进而分析制备的光电传感器性能。结果表明：掺入Ag后，C3N4半导体材料光催化活性和吸收系数都有所提高;传感器最佳配方：Ag质量分数为3%，偏压0.5 V，四环素适配体浓度1 μmol/L，传感器检测限为3.35 nmol/L。（剩余6539字）

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