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中科院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。（剩余19字）
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研究构筑门电压可编程的二维铁电存储器
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