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新思科技近日宣布推出射频(RF)设计参考流程和配套的设计解决方案套件(DSK),以加快三星电子(以下简称“三星”)的8 nm射频低功耗FinFET工艺的设计并提高产能,从而帮助双方客户加速开发用于5G/6G应用中的射频设计。8 nm射频设计参考流程采用了新思科技和Ansys的无缝整合解决方案,可助力下一代射频设计提高完成质量,缩短完成时间,降低实现成本。(剩余1254字)
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新思科技携手三星电子为5G/6G SoC提供更佳能效
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