形变热处理调控哈氏合金C276的晶界特征分布

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摘要：哈氏合金C276为层错能较低的面心立方金属材料，适用于晶界工程技术，有可能通过控制晶界网络结构来进一步提高其抗晶间腐蚀性能。基于晶界工程技术理念，研究了通过形变热处理（TMP）来调控哈氏合金C276的晶界特征分布的工艺方法。结果显示：经过3%～7%冷轧和1150℃保温10min处理后，C276合金中的低ΣCSL晶界比例达到70%以上，其中主要是Σ3晶界（孪晶界），形成了“由互为Σ3n取向关系的晶粒”构成的大尺寸的晶粒团簇，平均晶粒团簇尺寸达到110μm以上，获得了较好的晶界工程处理效果。（剩余12175字）