超宽禁带半导体氧化镓材料的专利分析

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摘 要：【目的】氧化镓是一种超宽禁带半导体，具有耐高压、耐高温、功率大、抗辐照等特性，极有可能在未来成为高功率、大电压应用领域的主导者，在全球科研与产业界引起了广泛重视。从专利角度对氧化镓材料进行分析，为相关产业的发展和专利布局提供参考。【方法】基于全球相关专利数据，从专利申请趋势、专利权人排名、技术来源国、技术领域IPC分类等维度对氧化镓材料进行分析。（剩余5869字）

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