InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究综述

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摘  要：      本文综述了InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究。 从湿法和干法刻蚀的物理化学机理以及参数调控等方面进行分析， 旨在阐明工艺条件对台面形貌的影响， 以抑制带隙较窄的长波和甚长波超晶格表面漏电流。 结果表明， 湿法刻蚀中恰当的腐蚀液配比可以实现两种组分的均匀性刻蚀， 而不会导致粗糙的表面和严重的下切；  干法刻蚀中， 采用Cl2基和CH4基混合气体， 通过调整刻蚀气体类型及比例可实现物理和化学刻蚀两个过程的平衡， 保证台面侧壁平滑性和倾角的垂直度。（剩余20950字）

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